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论文说明
摘要
第一章 绪论
第二章 文献综述—ZnO薄膜及其材料与器件的随机激射研究现状与进展
2.1 引言
2.2 ZnO的基本性质
2.2.1 ZnO的晶体结构
2.2.2 ZnO的能带结构
2.2.3 ZnO的电学特性
2.2.4 ZnO的光学特性
2.2.5 ZnO的其他特性
2.3 ZnO薄膜的制备方法
2.3.1 脉冲激光沉积法
2.3.2 溅射法
2.3.3 溶胶凝胶法
2.3.4 化学气相沉积法
2.3.5 分子束外延生长法
2.4 ZnO随机激射
2.4.1 随机激射的特性概述
2.4.2 ZnO光抽运随机激光
2.4.3 ZnO电抽运随机激射器件
2.5 小结
第三章 材料制备技术与测试方法
3.1 脉冲激光沉积制备技术
3.1.1 脉冲激光沉积制备技术原理
3.1.2 脉冲激光沉积设备
3.2 其他材料与器件制备技术
3.2.1 直流反应磁控溅射设备
3.2.2 射频反应磁控溅射设备
3.2.3 材料热处理设备
3.2.4 旋涂设备
3.3 材料、器件测试设备
3.3.1 扫描电子显微镜
3.3.2 X射线衍射仪
3.3.3 X射线光电子能谱仪
3.3.4 光吸收谱测量仪
3.3.5 室温光致发光/电致发光测试系统
第四章 PLD法工艺参数对ZnO薄膜及其器件电抽运随机激射的影响
4.1 引言
4.2 MIS器件结构与制备
4.3 激光波长对ZnO薄膜形貌的影响
4.4 衬底温度对ZnO薄膜形貌结构和发光性能的影响
4.4.1 不同衬底温度对ZnO薄膜形貌的影响
4.4.2 不同衬底温度对ZnO薄膜结构的影响
4.4.3 不同衬底温度对ZnO薄膜室温光致发光的影响
4.4.4 不同衬底温度对ZnO薄膜为发光层的MIS器件电致发光性能的影响
4.5 氧分压对ZnO薄膜发光性能的影响
4.5.1 不同氧分压对ZnO薄膜室温光致发光性能的影响
4.5.2 不同氧分压对ZnO薄膜为发光层的MIS器件电致发光性能的影响
4.6 总结
第五章 不同方法制备ZnO薄膜及其对ZnO器件电抽运随机激射的影响
5.1 引言
5.2 MIS器件结构与制备
5.3 ZnO薄膜表征
5.3.1 ZnO薄膜形貌
5.3.2 ZnO薄膜结构
5.3.3 ZnO薄膜室温光致发光
5.4 ZnO的MIS器件电致发光
5.4.1 ZnO-MIS器件的室温EL谱
5.4.2 ZnO-MIS器件的光功率
5.5 ZnO-MIS器件产生受激辐射的物理机制
5.6 以不同方法制备的ZnO薄膜为发光层的MIS结构器件电抽运随机激射性能分析
5.7 小结
第六章 PLD法制备绝缘体薄膜及其在ZnO电抽运随机激射器件中的应用
6.1 引言
6.2 MIS器件结构与制备
6.2.1 Si3N4薄膜表征
6.2.2 Si3N4对ZnO薄膜紫外室温光致发光的增强作用
6.2.3 ZnO(直流反应溅射)/ Si3N4/Au器件的电抽运随机激射
6.2.4 ZnO(PLD)/Si3N4/Au器件的电抽运随机激射
6.3 PLD法制备MgO薄膜及其在ZnO电抽运随机激射器件中的应用
6.3.1 ZnO(直流反应溅射)/MgO/Au器件的电抽运随机激射
6.3.2 ZnO(PLD)/MgO/Au器件的电抽运随机激射
6.4 小结
第七章 总结
参考文献
致谢
个人简历
攻读学位期间发表的学术论文
浙江大学;