声明
摘要
第一章 前言
第二章 文献综述
2.1 引言
2.2 ZnO的基本性质
2.2.1 ZnO的晶体结构
2.2.2 ZnO的能带结构
2.2.3 ZnO的电学性能
2.2.4 ZnO的光学性能
2.2.5 ZnO的其他性能
2.3 随机激射的简介
2.3.1 随机激射的现象
2.3.2 随机激射的机理
2.3.3 随机激射的应用前景
2.4 ZnO的随机激射
2.4.1 ZnO的光抽运随机激射
2.4.2 ZnO的电抽运随机激射
2.5 本章小结
第三章 材料和器件的制备方法及表征
3.1 材料和器件的制备设备
3.1.1 磁控溅射设备
3.1.2 旋涂仪
3.1.3 热处理设备
3.2 材料和器件的制备工艺
3.2.1 ZnO薄膜制备
3.2.2 绝缘层的制备
3.2.3 电极的制备
3.3 材料和器件性能的表征方法及设备
3.3.1 薄膜的表面形貌和晶体结构的表征
3.3.2 薄膜和器件的光学性能
3.3.3 器件的电学性能
第四章 低温水热法制备的ZnO薄膜及其MIS器件的电抽运随机激射
4.1 引言
4.2 水热ZnO薄膜及其MIS器件的制备
4.3 薄膜的表征
4.4 MIS器件的电抽运随机激射
4.5 随机激射增强的机理
4.6 本章小结
第五章 基于大晶粒的水热ZnO薄膜的MIS器件的电抽运随机激射
5.1 引言
5.2 大晶粒ZnO薄膜及其MIS器件的制备
5.3 大晶粒ZnO薄膜的表征
5.4 基于大晶粒ZnO薄膜的MIS器件的电抽运随机激射
5.5 电抽运随机激射的机理
5.6 基于大晶粒ZnO薄膜的MIS器件电抽运随机激射模式的减少
5.7 本章小结
第六章 利用极薄MoO3薄膜改善基于ZnO薄膜的MIS器件的电抽运随机激射性能
6.1 引言
6.2 MoO3薄膜及基于ZnO薄膜的MIS器件的制备
6.3 MoO3薄膜的表征
6.4 器件的电抽运随机激射
6.5 电抽运随机激射增强的机理
6.6 MoO3的厚度对器件电抽运随机激射的影响
6.7 本章小结
第七章 绝缘层对基于ZnO薄膜的MIS器件的电抽运随机激射性能的影响
7.1 引言
7.2 器件的制备
7.3 MgO的厚度对基于ZnO薄膜MIS器件的电抽运随机激射的影响
7.3.1 MgO薄膜的光致发光性能表征
7.3.2 以15 nm厚MgO薄膜为绝缘层的ZnO薄膜MIS器件的电抽运随机激射
7.3.3 以30 nm厚MgO薄膜为绝缘层的ZnO薄膜MIS器件的电抽运随机激射
7.3.4 绝缘层对厚度对器件电抽运随机激射性能影响的机理
7.4 MgO的热处理温度对ZnO薄膜MIS结构器件的电抽运随机激射的影响
7.4.1 MgO薄膜的光致发光性能
7.4.2 器件的电致发光性能
7.4.3 绝缘层的缺陷浓度对器件电抽运随机激射影响的机理
7.5 电子势垒高度对ZnO薄膜MIS器件的电致发光的影响
7.6 本章小结
第八章 总结
参考文献
致谢
个人简历
攻读学位期间发表的学术论文与取得的其它研究成果