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致谢
摘要
图目录
表目录
第一章 绪论
1.1 集成电路发展的概述
1.2 集成电路制造工艺流程
1.3 集成电路的成品率问题
1.4 测试芯片的简述
1.4.1 测试芯片的作用
1.4.2 测试芯片的应用
1.4.3 测试芯片测量与数据分析
1.5 论文研究内容和创新点
1.6 论文结构
第二章 可寻址测试芯片的设计方法
2.1 可寻址测试芯片的研究现状
2.2 可寻址测试芯片的设计思路
2.2.1 模拟测量技术
2.2.2 开关电路的选择
2.3 可寻址测试芯片的设计方案
2.3.1 大型可寻址测试芯片的设计方案
2.3.2 放置在划片槽的可寻址测试芯片的设计方案
2.4 本章小结
第三章 专用于SRAM失配特性的测试结构设计
3.1 CMOS SRAM单元的设计及其工作原理
3.1.1 SRAM单元的读取
3.1.2 SRAM单元的写入
3.2 晶体管的失配特性
3.3 专用于SRAM失配特性测量的测试结构的设计原理
3.4 专用于SRAM失配特性测量的测试结构的版图设计
3.4.1 PD晶体管对测试结构的版图设计
3.4.2 PG晶体管对测试结构的版图设计
3.4.3 PU晶体管对测试结构的版图设计
3.5 本章小结
第四章 专用于SRAM失配特性的可寻址测试芯片设计
4.1 引言
4.2 专用于SRAM失配特性的可寻址测试芯片设计方案
4.3 专用于SRAM失配特性的可寻址测试芯片的测量方案
4.3.1 饱和状态下漏极和源极间电流Idsat的测量
4.3.2 亚阈值电流Ioff的测量
4.3.3 饱和状态下的阈值电压Vtsat的测量
4.3.4 线性状态下的阈值电压Vtlin的测量
4.4 专用于SRAM失配特性的可寻址测试芯片的实现与实验结果分析
4.5 本章小结
第五章 总结
参考文献
作者简历以及在学期间所取得的科研成果