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无化学掺杂石墨烯-硅异质结太阳电池

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摘要

第一章 绪论

1.1 引言

1.2 太阳电池概述

1.2.1 什么是太阳电池

1.2.2 太阳电池效率损失分析

1.3 石墨烯-硅太阳电池简介

1.3.1 石墨烯的结构、性质和制备方法

1.3.2 石墨烯-硅(Gr/Si)太阳电池

1.4 抑制石墨烯-硅太阳电池效率提升的主要问题

1.5 本文的主要研究内容及结构安排

第二章 研究方法和器件组装初探

2.1 测试设备和研究方法

2.1.1 Raman光谱

2.1.2 霍尔效应测试仪

2.1.3 太阳电池电流-电压特性曲线测试仪

2.1.4 微波光电导少子寿命仪

2.2 石墨烯-硅(Gr/Si)太阳电池的组装

2.2.1 硅基底处理

2.2.2 石墨烯转移

2.2.3 石墨烯-硅太阳电池的组装

2.3 热处理和自然掺杂对石墨烯-硅(Gr/Si)太阳电池性能的影响

2.3.1 热处理对Gr/Si太阳电池性能的影响

2.3.2 自然掺杂效应对Gr/Si太阳电池性能的影响

2.4.本章小结

第三章 氧化石墨烯薄膜优化石墨烯-硅太阳电池界面的研究

3.1 引言

3.2 实验

3.2.1 材料

3.2.2 硅片表面沉积氧化石墨烯薄膜

3.2.3 石墨烯-氧化石墨烯-硅(Gr/GO/Si)太阳电池的组装

3.3 实验结果与讨论

3.3.1 Gr/GO/Si太阳电池表征

3.3.2 Gr/GO/Si太阳电池性能

3.3.3 Gr/GO/Si太阳电池性能优于Gr/Si太阳电池性能的机理分析

3.3.4 Gr/GO/Si太阳电池的稳定性

3.4 本章小结

第四章 氧化铝薄膜优化石墨烯-硅太阳电池界面的研究

4.1 引言

4.2 实验

4.2.1 原子层沉积氧化铝薄膜

4.2.2 石墨烯-氧化铝-硅(Gr/Al2O3/Si)太阳电池的组装

4.3 实验结果与讨论

4.3.1 氧化铝薄膜对硅表面的钝化效果

4.3.2 Gr/Al2O3/Si太阳电池性能

4.3.3 高效Gr/Al2O3/Si太阳电池的物理机制—场钝化效应及反型电池猜想

4.3.4 高效Gr/Al2O3/Si太阳电池的物理机制—反型电池证据

4.4 本章小结

第五章 电场掺杂调控石墨烯-硅太阳电池性能的研究

5.1 引言

5.2 实验

5.2.1 外加电场掺杂Gr/GO/Si太阳电池的组装

5.2.2 内建电场掺杂Gr/P(VDF-TrFE)/GO/Si太阳电池的组装

5.3 实验结果与讨论

5.3.1 外加电场掺杂调控Gr/GO/Si太阳电池性能的研究

5.3.2 内建电场掺杂调控Gr/P(VDF-TrFE)/GO/Si太阳电池性能的研究

5.4 本章小结

第六章 石墨烯-氧化石墨烯-银纳米线复合薄膜用于石墨烯-硅太阳电池的研究

6.1 引言

6.2 实验

6.2.1 Gr-Go-AgNWs复合薄膜的制备及表征

6.2.2 Gr-GO-AgNWs/Al2O3/Si太阳电池的组装

6.3 实验结果与讨论

6.3.1 Gr-GO-AgNWs复合薄膜的导电性

6.3.2 Gr-GO-AgNWs复合薄膜的透光性和综合性能

6.3.3 Gr-GO-AgNWs复合薄膜的耐高温性

6.3.4 Gr-GO-AgNWs复合薄膜的长期稳定性

6.3.5 Gr-GO-AgNWs复合薄膜用于石墨烯-硅太阳电池

6.4 本章小结

第七章 总结

7.1 结论

7.2 展望

参考文献

致谢

作者简介

攻读学位期间发表的学术论文及专利

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摘要

石墨烯是重要的二维材料,其具有优异的光电性能(如高透光率,极高的载流子迁移率)而成国际学术界研究的热点。将石墨烯与晶体硅结合制备石墨烯-硅异质结新型太阳电池,可以省去晶体硅太阳电池制程中的高温扩散工艺,放宽对硅材料的纯度要求,有望在较低的生产成本下实现较高的光电转化效率,从而成为一种具有重要潜力的新型太阳电池。但目前这种电池的效率还很低,稳定性也比较差,需要深入地研究和探讨。
  本文围绕提高石墨烯-硅太阳电池效率的主要目标,在石墨烯-硅界面优化和石墨烯性能调控两方面做了系统研究,得到了以下主要创新结果:
  (1)在石墨烯和硅界面处引入化学性质与石墨烯相似,但电学上是绝缘体的氧化石墨烯薄膜作为介质层,优化了石墨烯-硅界面。研究发现氧化石墨烯薄膜的引入可以提高石墨烯-硅太阳电池的开路电压,并且可以有效地抑制少数载流子在硅-石墨烯界面处的复合,提高电池的短路电流密度和填充因子。这两方面的共同作用使石墨烯-硅太阳电池的效率获得近3倍的提升,最高效率达到6.18%,且具有较好的长期稳定性,超过了目前文献报道的无化学掺杂石墨烯-硅太阳电池的效率。
  (2)在石墨烯和硅之间引入带有固定负电荷的氧化铝薄膜,优化石墨烯-硅界面。研究发现由固定负电荷和石墨烯-硅功函数差引起的表面能带弯曲,可以使较高电阻率的硅基底表面发生强反型,由此产生的场钝化效应可以有效地抑制少数载流子在石墨烯-硅界面处的复合。同时,硅表面发生强反型也使石墨烯-硅太阳电池转变为类似于p-n结电池的MIS IL(metal-insulator-semiconductorinversion layer)电池,有效抑制了多数载流子的热激发电流,降低了电池的反向向饱和电流。两者的共同作用使得石墨烯-硅太阳电池的各项参数(短路电流密度,开路电压,填充因子)均有显著提升,电池最高效率达到8.44%,进一步提高了无化学掺杂石墨烯-硅太阳电池的效率记录。
  (3)利用电场掺杂调控石墨烯性能。在实验上同时实现了外加电场掺杂和内建电场掺杂,后者是通过将铁电高分子材料(偏二氟乙烯与三氟乙烯的共聚物)引入石墨烯-硅太阳电池结构,利用其极化产生的内建电场实现的。实验结果表明,通过电场掺杂调节石墨烯的费米能级(功函数),可以使石墨烯-硅太阳电池的效率提高1-2倍。
  (4)通过和银纳米线复合,调控石墨烯性能。研究发现石墨烯的导电性可被有效提升而其功函数保持不变。将方块电阻达9Ω,品质因子达168,具有良好热稳定性和长期稳定性的石墨烯-氧化石墨烯-银纳米线复合薄膜,用于制备工作面积放大1-2倍的石墨烯-硅太阳电池,可以有效提高电池的填充因子,获得最高效率为8.68%的无化学掺杂石墨烯-硅太阳电池。

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