声明
致谢
摘要
1 绪论
1.1 研究背景
1.2 国内外研究进展
1.2.1 量子限域效应
1.2.2 制备方法
1.2.3 硅锗纳米晶的应用
1.3 本文研究工作
2 实验设备与方法
2.1 磁控溅射原理和设备
2.1.1 磁控溅射原理
2.1.2 磁控溅射镀膜设备简述
2.2 薄膜的沉积
2.3 薄膜的热处理
2.4 薄膜的结构表征
2.4.1 透过率与反射率光谱的测量
2.4.2 X射线光电子能谱
2.4.3 扫描电子式显微镜
2.4.4 透射电子显微镜
2.5 本章小结
3 Si纳米晶镶嵌SiO2薄膜的生长及表征
3.1 SiOx薄膜的沉积和表征
3.1.1 反应磁控溅射制各SiOx薄膜
3.1.2 溅射气体氛围对SiOx薄膜成分的影响
3.1.3 SiOx薄膜的光学特性
3.1.4 SiOx薄膜的结构特性
3.2 Si纳米晶薄膜的表征
3.2.1 SiOx薄膜的退火
3.2.2 高温真空慢退火对Si纳米晶的影响
3.2.3 高温快速退火对Si纳米晶的影响
3.3 本章小结
4 Ge纳米晶镶嵌SiO2薄膜的生长及表征
4.1 GeSiO膜层的沉积
4.1.1 单靶溅射的沉积速率及膜层成分研究
4.1.2 双靶共溅制备GeSiO膜层
4.2 Ge纳米晶薄膜的表征
4.2.1 GeSiO薄膜的退火
4.2.2 溅射气体氛围对Ge纳米晶的影响
4.2.3 退火温度对Ge纳米晶的影响
4.2.4 Ge纳米晶薄膜的光学带隙
4.3 本章小结
5 多层Ge纳米晶镶嵌SiO2薄膜的生长和表征
5.1 GeSiO/SiO2多层膜的生长
5.1.1 GeSiO/SiO2多层膜的结构设计
5.1.2 GeSiO/SiO2多层膜的沉积
5.2 多层Ge纳米晶薄膜的表征
5.2.1 GeSiO/SiO2多层膜的退火
5.2.2 NC-Ge/SiO2多层膜的PL谱
5.2.3 NC-Ge/SiO2多层膜的光学带隙
5.3 本章小结
6 总结与展望
6.1 论文内容总结
6.2 未来工作展望
参考文献
作者简历