声明
第一章 绪论
1.1非挥发性阻变存储器(RRAM)的概念
1.1.1 RRAM的基本工作原理及其性能指标
1.1.2 RRAM的存储机制
1.2氧化钛阻变层及上下电极材料
1.2.1氧化钛阻变体系
1.2.2上下电极材料
1.3光电子阻变存储器及其应用
1.4研究内容及研究意义
第二章 ITO/TiOx/Pt结构阻变器件的阻变性能及工艺优化
2.1 ITO/TiOx/Pt(ITP)结构阻变器件的构建
2.1.1薄膜生长工艺——磁控溅射
2.1.2电学性能分析——半导体器件分析仪
2.2 TiOx阻变层性能优化实验及分析
2.2.1不同氧分压条件对器件阻变性能的影响
2.2.2不同氧化钛薄膜厚度对器件阻变性能的影响
2.2.3不同靶基距对器件阻变性能的影响
2.2.4退火对器件阻变性能的影响
2.3工艺优化后ITO/TiOx/Pt结构器件的阻变性能
2.4本章小结
第三章 ITO/TiOx/Pt结构阻变机制分析
3.1微观结构分析表征手段
3.1.1原子力显微镜
3.1.2扫描电子显微镜
3.1.3 X射线光电子能谱
3.2优化工艺下的ITO/TiOx/Pt结构的表征
3.2.1 ITO薄膜的AFM形貌图
3.2.2 TiOx薄膜的AFM形貌图
3.2.3横截面SEM表征以及TiOx层XPS分析
3.3 ITO/TiOx/Pt结构的阻变机制拟合
3.4 ITO/TiOx/Pt结构两种阻变的温度测试与活化能计算
3.5 ITO/TiOx/Pt结构的光照实验
3.6本章小结
第四章 总结与展望
总结
展望
参考文献
发表论文和科研情况说明
致谢