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1 绪论
1.1 选题背景
1.2 研究意义
1.3 毫米波晶体管的发展现状
1.4 本论文研究内容及结构
2 纳米MOSFET毫米波小信号等效电路模型
2.1 毫米波MOSFET小信号等效电路
2.1.1忽略衬底效应的小信号模型
2.1.2考虑衬底效应的小信号等效电路模型
2.1.3等效电路模型的确定
2.2 基于散射参数的等效电路参数提取方法
2.2.1电路的散射参数和噪声系数
2.2.2等效电路参数的直接提取法
2.3 等效电路的Y参数建模
2.4 本章小结
3 毫米波频段下的纳米MOSFET四噪声参数模型
3.1 MOSFET噪声的种类
3.2 基于小信号等效电路模型的四噪声参数模型推导
3.2.1含噪声源的小信号等效电路模型
3.2.2四噪声参数模型的推导方法
3.3 四噪声参数模型的推导结果
纳米级MOSFET的噪声机理在各个反型区是不同的,其中漏极电流噪声Sid的变化最明显。而在强反型区时
下面给出了MOSFET强反型区的Sid、Sig、Sigid*的数学表达式[44]:
(3-41)
(3-42)
(3-43)
3.4 本章小结
4 130纳米MOSFET四噪声参数的验证
4.1 纳米MOSFET小信号元件参数提取
4.1.1去嵌LC后的Y参数
4.1.2参数的直接提取的实现
4.1.3参数提取的过程及结果
4.2 强中反型区域的四噪声参数模型的验证
4.3 弱反型区域噪声机理的验证
4.4 本章小结
结 论
致 谢
参考文献
附 录