声明
摘要
第一章 绪论
1.1 研究背景及意义
1.2 功率MOSFET研究现状
1.2.1 VDMOS元胞结构发展现状
1.2.2 VDMOS终端结构发展现状
1.3 本文的主要工作
第二章 VDMOS耐压机理
2.1 碰撞电离与雪崩击穿
2.1.1 碰撞电离率
2.1.2 雪崩倍增效应
2.2 PN结击穿机制
2.2.1 突变结的解析解
2.2.2 线性缓变结的解析解
2.2.3 结边缘的曲率效应
2.3 本章小结
第三章 VDMOS器件仿真模拟
3.1 工艺仿真软件简介
3.2 VDMOS工艺制程及设计要求
3.3 VDMOS元胞设计
3.4 本章小结
第四章 VDMOS结终端结构的研究
4.1 场限环终端结构的优化
4.1.1 单场限环结构
4.1.2 多场限环结构
4.2 复合场板对终端结构的影响
4.3 JTE结构参数的优化
4.4 密封保护环与沟道截止环
4.5 本章小结
第五章 650V VDMOS终端结构优化设计
5.1 650V多场限环终端结构设计
5.2 650V复合场板多场限环终端结构设计
5.3 650V单区JTE与FP-JTE终端结构设计
5.3.1 单区JTE结构参数的确定
5.3.2 FP-JTE结构的参数
5.3.3 仿真结果及分析
5.4 四种终端结构的比较
5.4.1 界面电荷对终端结构的影响
5.4.2 四种终端结构的漏电流
5.4.3 四种终端结构性能参数的比较
5.5 本章小结
总结与工作展望
致谢
参考文献
攻读硕士学位期间发表的论文