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独创性声明及关于论文使用授权的说明
第一章绪论
§1.1微电子技术的发展趋势及其对光刻技术的需求
§1.2光刻曝光系统的发展和主要性能指标
§1.3当前主流曝光技术和发展
§1.3.1偏轴照明
§1.3.2光学邻近效应校正
§1.3.3移相掩膜技术
§1.3.4硅片表面的平整化技术
§1.3.5光刻胶修剪技术
§1.3.6新型光刻胶技术
§1.4对准在光刻中的重要性
第二章光刻对准原理
§2.1光刻对准概述
§2.2对准标记
§2.3对准类型
§2.3.1暗场对准
§2.3.2逐场对准
§2.3.3整场对准
§2.4不同曝光方式在对准及曝光效果方面的差异
§2.5光刻套准效果的监控及度量
§2.6影响光刻套准效果的因素
第三章工艺层与光刻套准关系分析
§3.1芯片制造中各工艺层的形成
§3.2工艺层与光刻对准的关系
§3.3实验设计
§3.4实验数据
§3.5实验结果分析
§3.6提高在不同工艺层下的对准精度的方法
第四章对准标记的改进
§4.1对准标记对光刻套准的影响
§4.2硅的定向腐蚀
§4.3实验方案设计
§4.4实验现象记录
§4.5实验过程分析
§4.6实验中遇到的主要问题以及部分解决办法
§4.7实验结论
§4.8其它类型对准标记的改进
第五章离子注入与光刻套准的关系确定
§5.1离子注入对对准标记的影响
§5.2实验设计
§5.3实验现象以及结果分析
第六章隔离工艺中的对准处理
§6.1各种隔离方式的特点
§6.1.1厚氧隔离
§6.1.2局部氧化工艺隔离(LOCOS)
§6.1.3多晶硅缓冲局部氧化隔离(PB-LOCOS)
§6.1.4侧壁掩蔽隔离(SWAMI)
§6.1.5浅槽隔离(STI)
§6.2隔离工艺对光刻套准的影响起因
§6.3实验方案设计
§6.4实验数据
§6.5实验数据及结果分析
§6.6实验结论
§6.7实验中遇到的主要问题以及部分解决办法
§6.8实验误差分析
第七章混合匹配光刻的套准技术研究
§7.1混合匹配光刻的必要性
§7.2混合匹配光刻中对准的技术难点
§7.3匹配光刻实验方案设计
§7.4实验数据处理
§7.5实验结果分析
第八章光刻套准误差分析
§8.1造成误差的工艺因素
§8.2造成误差的非工艺因素
§8.3套准误差模型的建立
§8.3.1 Intrafield模型
§8.3.2 Interfield模型
§8.4减小套刻误差产生的办法
第九章未来光刻技术中的对准模式
§9.1 X射线曝光及其对准方式
§9.2电子束曝光及其对准方式
§9.3离子束曝光及其对准方式
§9.4双面曝光及其对准方式
第十章结论
附录 附录一IC制造工艺与光刻对准关系结构图
附录二非工艺因素与光刻对准关系结构图
附录三不同底材的对准特性实验申请单
附录四V形槽对准标记实验单
附录五不同对准台阶对光刻套准影响实验申请单
附录六SWAMI与光刻套准关系实验流程单
参考文献
致谢
个人简介以及研究项目
