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目录
第一章 引言
1.1 GaN MOS结构器件优势和国内外研究现状
1.2 论文主要研究意义
1.3 论文主要研究内容
第二章 GaN MOSFET器件工艺概述及器件表征
2.1 GaN MOSFET器件工艺概述
2.2 GaN MOSFET器件特性表征
第三章 GaN多层膜结构椭偏测试准确性研究
3.1 椭偏测试理论概述
3.2 GaN多层膜结构椭偏测试研究
3.3 椭偏测试准确性分析及结论
第四章 GaN离子注入工艺研究
4.1 离子注入工艺概况
4.2 n型GaN离子注入工艺研究现状
4.3 GaN离子注入工艺条件
4.4 GaN离子注入及退火后样品特性分析
4.5 结论
第五章 GaN高温干氧氧化工艺研究
5.1 GaN氧化
5.2 GaN干氧氧化工艺条件
5.3 Ga2O3薄膜特性分析
5.4 总结
第六章 结论
致谢
参考文献
攻硕期间取得的研究成果
电子科技大学;