利用软件平台对节能灯驱动电路中半桥功率MOSFET的设计

摘要

LDMOS(Lateral Double．Diffused MOSFET)作为一种横向功率器件，其电极均位于器件表面，易于通过内部连接实现与低压信号电路以及其它器件的单片集成，同时又具有耐压高、增益大、失真低等优点，如今已被广泛应用于功率集成电路中。这当中，LDMOS结构设计的优劣以及LDMOS自身工作的可靠性决定了整个功率集成电路的性能。传统LDMOS的设计主要围绕着击穿电压和导通电阻之间的合理折衷来进行，但由于功率集成电路自身大电流、高电压的特点，其许多应用都要求在高温下工作，因而对LDMOS的安全工作区进行设计也是必不可少的。因而需要对三者综合考虑，以提高器件性能。
　　首先，本文回顾了功率器件的发展历史，接着介绍了几种结终端技术，如场极板、场限环、横向变掺杂等，这些结终端技术在LDMOS的设计中被普遍运用；
　　其次，对LDMOS进行了结构设计，利用MEDICI对其进行器件仿真和利用TSUPREM-4对其进行工艺仿真，并给出了完整的工艺流程；
　　再次，对LDMOS器件的版图进行设计。并对单个元胞、尖端耐压和浅槽隔离技术进行了分析；
　　最后，对整个论文做了一个总结，并提出了本设计以后工作的方向。

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第一章 绪论

1.1功率集成电路的发展

1.2 LDMOS器件简介

1.3 LDMOS器件的研究现状

1.4 本文主要工作

第二章 LDMOS的研究

2.1 LDMOS器件的基本结构和特点

2.2 LDMOS的常用终端技术

2.3 本章小结

第三章 器件模拟及应用软件介绍

3.1 器件模拟

3.2 工艺模拟

3.3 本章小结

第四章 对LDMOS主要参数的设计和仿真结果分析

4.1 研究方法

4.2 LDMOS器件的结构分析

4.3 LDMOS关键参数的设计和仿真

4.4 仿真和测试结果

4.5 结论

第五章 LDMOS器件的工艺设计和版图设计

5.1 LDMOS的工艺设计

5.2 LDMOS的工艺流程设计

5.3 LDMOS器件的版图设计

5.4 本章小结

第六章 结束语

致谢

参考文献

附录 工艺模拟仿真软件TSUPREM-4的仿真程序