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第1章 绪论
1.1 引言
1.2 Bi2O3的基本性质与应用
1.2.1 Bi2O3的性质与结构
1.2.2 Bi2O3的主要应用
1.3 Bi2O3薄膜的制备工艺
1.3.1 真空蒸发法
1.3.2 化学气相沉积法
1.3.3 脉冲激光沉积法
1.3.4 喷雾热解法
1.3.5 溶胶凝胶法
1.3.6 磁控溅射法
1.4 新型非挥发性存储器简介
1.4.1 磁阻式随机存取存储器(MRAM)
1.4.2 铁电随机存取存储器(FeRAM)
1.4.3 相变随机存取存储器(PCRAM)
1.4.4 电阻式随机存取存储器(ReRAM)
1.5 选题意义及研究内容
第2章 电阻式随机存取存储器的概述
2.1 ReRAM的材料体系
2.1.1 有机材料
2.1.2 固态电解质材料
2.1.3 多元金属氧化物
2.1.4 二元金属氧化物
2.2 ReRAM的阻变机制
2.2.1 体效应
2.2.2 界面效应
2.3 电流传导机制
2.3.1 欧姆传导
2.3.2 肖特基发射
2.3.3 普尔-法兰克发射
2.3.4 空间电荷限制电流
2.4 ReRAM的集成结构
2.4.11R单元结构
2.4.21T1R单元结构
2.4.31D1R单元结构
2.5 本章小结
第3章 薄膜的制备及其表征技术
3.1 薄膜的制备
3.1.1 射频磁控溅射的原理
3.1.2 射频磁控溅射设备
3.1.3 真空蒸发
3.2 薄膜性能的表征
3.2.1 X射线衍射(XRD)测试
3.2.2 薄膜光学性能的测试
3.2.3 Ⅰ-Ⅴ特性曲线测试
3.3 本章小结
第4章 基于Bi2O3薄膜的ReRAM器件的制备
4.1 薄膜制备准备工作
4.2 Bi2O3薄膜的沉积
4.3 Bi2O3薄膜沉积速率的计算
4.3.1 Bi2O3薄膜厚度的计算
4.3.2 Bi2O3薄膜的沉积速率
4.4 本章小结
第5章 硅衬底上Bi2O3薄膜的电阻开关特性的研究
5.1 引言
5.2 电阻开关现象初探
5.3 沉积温度对Bi2O3薄膜性能的影响
5.3.1 沉积温度对Bi2O3薄膜晶体结构的影响
5.3.2 沉积温度对Bi2O3薄膜电阻开关特性的影响
5.4 沉积时间对Bi2O3薄膜性能的影响
5.4.1 不同沉积时间对Bi2O3薄膜晶体结构的影响
5.4.2 不同沉积时间对Bi2O3薄膜电阻开关特性的影响
5.5 氧氩比对Bi2O3薄膜性能的影响
5.5.1 不同氧氩比对Bi2O3薄膜晶体结构的影响
5.5.2 不同氧氩比对Bi2O3薄膜电阻开关特性的影响
5.6 退火温度对Bi2O3薄膜性能的影响
5.6.1 退火温度对Bi2O3薄膜晶体结构的影响
5.6.2 退火温度对Bi2O3薄膜电阻开关特性的影响
5.7 本章小结
第6章 结论
致 谢
参考文献
附录