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Sun He; 孙鹤; Zhong Haiqin; 仲海钦; Zhang Chao; 张超; Fang Liang; 方粮;
中国计算机学会;
电阻存储器; 二氧化钛薄膜; 制备工艺; 电子束蒸发技术; 电阻开关特性;
机译:不同电极的TiO2薄膜的Y电阻开关特性
机译:TiO2 / BaTiO3 / TiO2多层膜中高度均匀的双极电阻开关特性
机译:Gd掺杂改善了基于TiO2的电阻存储器件的电阻开关特性(vol 47,pg 2710,2008)
机译:ZnO薄膜的电阻开关特性研究
机译:基于电子显微镜的电阻开关特性。
机译:磁控溅射锂掺杂ZnO薄膜的电阻开关特性
机译:均匀的双极电阻开关特性,具有pt / TiO2 / p-si器件的自适应效应
机译:mOCVD生长的TiO2薄膜和TiO2 / al2O3界面的电子显微镜研究
机译:电阻随机存取存储器,包括具有电阻开关特性的薄膜层
机译:具有双极性开关特性的两个终端开关设备,相同的制造方法以及具有相同开关特性的电阻存储器交叉点阵列
机译:掺有H2WO4的TIO2或掺有TIO2的NA2WO4.2H2O的薄膜理解纤维,获得和使用薄膜的过程
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