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目录
第一章 绪论
§1.1 研究背景
§1.2 研究意义
§1.3 TSV及其制作工艺
§1.4 国内外研究现状
§1.5 论文研究思路与章节安排
第二章 基于 TSV 的 3D-SIP 中的多场耦合问题
§2.1 基于 TSV 的 3D-SIP 中电磁-热-机械耦合关系分析
§2.2 单一物理场基本理论
§2.3 本章小结
第三章 TSV 的多场耦合特性分析
§3.1 电磁-热-结构多物理场耦合数学模型的建立
§3.2 数学模型的“弱”解形式推导
§3.3 TSV 的多物理场分析
§3.4 不同的 TSV 径高比的条件下单个 TSV 的多物理场分析
§3.5 单层芯片中 TSV 的热串扰研究
§3.6 本章小结
第四章 基于 TSV 的 3D-SIP 中的多物理场分析及其结构参数模型的建立
§4.1 基于 TSV 的 3D-SIP 中的多物理场分析
§4.2 正交试验设计条件下基于 TSV 的 3D-SIP 结构参数模型
§4.3 TSV 参数模型的建立
§4.4 本章小结
第五章 全文总结与展望
§5.1 全文总结
§5.2 展望
参考文献
致谢
作者在攻读硕士期间主要研究成果