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原创声明和授权使用说明书
第一章 绪 论
第二章 电子崩发展宏观模型的改进
第三章 混合气体电子崩发展的蒙特卡罗计算模型
第四章 混合气体电子崩发展的蒙特卡罗模拟和实验验证
第五章 电子崩发展过程中离子的输运
第六章 结论
参考文献
致 谢
攻读学位期间发表的学术论文目录
李旭光;
上海交通大学;
气体放电; 电子崩; 混合气体; 六氟化硫; 蒙特卡罗方法; 电子输运;
机译:SF_6 / CF_4混合气体中电子群参数的蒙特卡罗模拟
机译:杂质气体对PDP Ne / Xe混合气体体系电子输运特性的影响
机译:应变中电子输运的蒙特卡罗模拟Si / Si 1-x sub> Ge x sub> n-MOSFET
机译:集成剂量历史的MOSFET灵敏度变化,CT剂量学中MOSFET的应用,门禁监护仪的物理特性以及基于排队论的用于筛查受污染人员的门禁监护仪使用情况分析
机译:基于KNR和KNCSF校正因子的剂量参数参数估计的6和18 MV直线加速器能量小场辐射疗法的蒙特卡罗模拟方法
机译:SF 6 sub> -n 2 sub>混合气体突出缺陷的局部放电特性
机译:蒙特卡罗模拟弛豫si(1-x)Ge(x)衬底上应变si层的电子输运性质
机译:看到混合气体中的meta vermeledningsformagan,用serskilt来确定气体成分并消除混合气体中的vermeledningsformagans冲击,并消除了混合气体的装置。
机译:SF6 SF6 SF6气体绝缘开关设备的气体成分分析辅助装置以及使用该方法的SF6气体成分分析方法
机译:SF6 SF SF6气体绝缘开关设备的气体成分分析辅助装置和使用该方法的SF6气体成分分析方法
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