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安静;
上海交通大学;
半导体材料; 硅片加工; 腐蚀工艺; 酸蚀溶液;
机译:富含HNO3的HF / HNO3混合物中硅腐蚀机理的研究
机译:HNO_3-H_2O系统中氧化还原势的HNO_2浓度的计算辅助了解硝酸腐蚀的阴极反应
机译:HF / HNO3混合物中硅溶解期间硅氧化的修订模型
机译:NH4F对HF / HNO3 / H2O体系中硅刻蚀的影响
机译:超临界CO2中HNO3和TBP-HNO3复合物中稀土元素稀土元素静态和动态提取的实验研究
机译:在硅和体外研究中揭示了补体系统驱动凝固级联在SARS-COV-2发病机制中
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机译:各种奥氏体CrNi钢在长时间Huey试验中的跨越硝酸腐蚀研究(65%HNO sub 3,120 / Degree / C,720 H)
机译:刻蚀表征硅表面缺陷的方式和硅表面成分,并处理处理硅的无效HF和HNO 3
机译:用HF / HNO 3 Sub>蚀刻掺杂的多晶硅中的临界浓度
机译:用HF / HNO3刻蚀掺杂多晶硅的临界浓度
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