0.15μm低压制程漏电流及通孔电阻的降低

摘要

0.15μm低压制程是在0.15μm标准制程的基础上衍生出来的一种特殊制程。它利用光学邻近矫正技术把晶体管的线宽从0.15μm修正为0.13μm而同时长度保持不变，以期提高晶体管的速度。 在实际生产中我们在浅沟道隔离(STI)的拐角位置发现了缺角(divot)，它与覆盖在上面的多晶硅构成了寄生晶体管，从而增加了静态漏电流。通过加大STI与衬底的垂直角度，我们降低了STI化学机械研磨过程中产生的机械应力，同时缩短湿法清洗去除pad oxide的时间来减轻divot的形成，降低寄生漏电流。另外我们在STI liner oxide之后增加了一层SiN，进一步降低了漏电流。 生产中遇到的另一个问题就是过高的通孔电阻会导致扫描链功能性失效。经过分析我们通过缩短via过度蚀刻时间的方法，避免了由于阻挡层被完全穿透引起的铝金属挤进via内部的现象，降低了通孔的接触电阻，减少了因RC延迟效应带来的扫描链功能性失效。 经过这些工艺优化，我们解决了漏电流问题和扫描链功能性失效问题带来的良率损失，将产品的良率从70％提升到90％。