机译:在n硅金属绝缘体半导体欧姆接触中使用还原的二氧化钛中间层来降低费米能级钉扎和降低接触电阻
机译:在n硅金属绝缘体半导体欧姆接触中使用还原的二氧化钛中间层来降低费米能级钉扎和降低接触电阻
机译:通过使用金属/氧化镍/硅触点的费米能级钉扎降低空穴的肖特基势垒高度
机译:使用金属和硅之间的超薄TiO2-x中间层将势垒高度减小至0.15eV,并将接触电阻率减小至9.1×10 −9 sup>Ω-cm 2 sup>
机译:介电偶极子减轻了肖特基势垒高度调整,从而降低了接触电阻。
机译:Ni与金属嵌入纳米粒子接触4H-SiC的取决于金属功函数的势垒高度
机译:使用点接触装置探测热H2O蒸汽退火,降低多晶硅中的晶界势垒高度
机译:阻挡层高度对半导体硅和砷化镓与纯金属接触摩擦行为的影响