氮化硅薄膜转移技术与多孔硅基一维光子晶体制备研究

摘要

本项目探索一种利用多孔硅作为分离层实现功能薄膜或由此构成的器件的衬底转移的技术并探索该技术在三维集成以及射频电路中的应用,并同时探索了多孔硅基一维光子晶体的制备及特性研究.第一章介绍了本课题的研究背景和研究内容.第二章简要介绍了氮化硅薄膜的衬底转移和一维光子晶体的制备方法.第三章为多孔硅表面氮化硅的淀积与转移技术的结果与讨论.第四章为一维光子晶体制备的结果与讨论.第五章为氮化硅薄膜的衬底转移技术和一维光子晶体制备技术的总结与展望.

目录

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第一章导论

1.1课题背景

1.1.1转移连接(Transfer and Joint)技术介绍

1.1.2多孔硅与电流、超晶格及光子晶体的关系

1.2本文的工作

1.2.1厚膜氮化硅的转移

1.2.2多层反射膜的制备

第二章制备方法

2.1氮化硅薄膜的转移

2.1.1实验总流程

2.1.2具体工艺步骤

2.2纳米硅基一维光子晶体的制备

2.2.1 p型硅样品实验条件

2.2.2 n型硅样品实验条件

第三章多孔硅表面氮化硅厚膜淀积及转移机理

3.1多孔硅表面厚膜淀积分析

3.1.1引言

3.1.2多孔硅薄膜应力分析概述

3.1.3多孔硅表面氮化硅厚膜淀积分析

3.2氮化硅厚膜转移分析

3.2.1键合原理

3.2.2固体薄膜转移技术

3.2.3氮化硅厚膜转移的实现分析

第四章硅基一维光子晶体的机理、表征及分析

4.1多孔硅单层膜的制备与光学性质研究

4.1.1简介

4.1.2制备

4.1.3结构特性表征与分析

4.1.4结论

4.2多孔硅基一维光子晶体理论与设计

4.2.1一维光子晶体的结构与光子禁带

4.2.2一维光子晶体与光学多层介质膜

4.2.3多孔硅基一维光子晶体的设计

4.3多孔硅基一维光子晶体在p型和n型单晶硅上的实现分析

4.3.1 p型硅样品微结构(图4.11与图4.12)分析

4.3.2 n型硅样品微结构(图4.13)分析

4.3.3结论

4.4多孔一维光子晶体的光学性质

4.4.1引言

4.4.2理论

4.4.3光学分析

第五章结论与展望

5.1结论

5.2展望

参考文献

致谢

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