软损伤吸杂的透射电镜分析

摘要

该文以透射电镜灰工具,观察了几种不同类型软损伤硅片极其在工艺热过程的转化缺陷(位错、层错、亚晶界),对实验中所观察的现象进行了一定的解释.利用当前较新的位错与杂质相互作用理论,进一步分析了在特定的原始损伤情况下不同类型缺陷的形成过程及其在吸杂工艺中的作用机理.在以上工作的基础上,对不同类型硅片所采取的吸杂工艺处理的个性和共性进行了初步的探讨.在对半导体材料的损伤和缺陷的观测中,透射电镜有着其他观察仪器不可比拟的优越性.其中成以衍射衬度象最为常用.该文的创新上在于:解释了不同类型的硅片在不同的工艺处理条件下产生不同的转化缺陷的原因;揭示了氧化层错的吸除效果在于其边上的半位错;分析了不同缺陷的吸除效果;讨论了不同类型硅片要达到好的吸杂效果需进行的不同工艺处理.