GeSi低维材料的生长和结构表征

摘要

该文的研究内容分为以下三个方面:1.利用喇曼光谱研究了不同温度下在Si(100)衬底上异质处外宾Ge层由于扩散引起的Ge/Si异质结界面互混以及表面活化剂Sb对其的影响.2.量子点的生长技术.通过实验对量子点的最佳生长条件进行了探索.利用两步法制备出尺寸小,均匀性较好,密度高的量子点.3.研究了硅衬底上外延的锗量子点的组分和应变.我们在北京同步辐射实验室对样品进行了掠入射X射线衍射测量,测出了锗量子点横向和纵向的晶格常数.

目录

第一章引言

参考文献：

第二章硅分子束外延系统及表征技术

§2.1硅分子束外延系统介绍

§2.2 Si衬底消洁表面的获得

§2.3实验技术

参考文献：

附录

第三章GeSi界面互扩散的Raman光谱研究

§3.1引言

§3.2实验条件

§3.3实验结果与讨论

§3.4结论

附录

参考文献：

第四章量子点的生长技术

§4.1引言

§4.2样品制备及实验

§4.3实验结果与讨论

§4.4结论

参考文献：

附录

第五章量子点的应变和组份研究

§4.1引言

§4.2样品制备及实验

§4.3实验结果与讨论

§4.4结论

参考文献：

附录

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