相变存储器新型器件性能及热模拟

摘要

从2001年Intel在IEDM发表第一篇相变存储器的论文到2007年Samsung发表512Mb的PCM实验数据，相变存储器的发展迅猛。Intel甚至在2006年第21届非挥发性半导体内存学术会议上称

目录

文摘

英文文摘

声明

第一章绪论

1.1引言

1.2硫系化合物GST的晶态和非晶态结构

1.3硫系化合物GST的相转换过程

1.4相变存储器件的结构和电路实现

1.5相变存储器中的问题

1.6本论文的研究目的及内容

第二章Ge2Sb2Te5-TFT器件结构和电能性能

2.1引言

2.2器件参数与工艺流程

2.3 TFT器件测试结果与分析

2.4本章小结

第三章新型的沟槽结构相变存储器

3.1引言

3.2器件工艺流程

3.3热学模型与参数

3.4仿真结果与分析

3.4.1 1T1R与1T2R

3.4.2改变1T2R厚度

3.4.3改变材料

3.5本章小结

第四章Si掺杂Ge2Sb2Te5机理研究

4.1引言

4.2掺Si对Ge2Sb2Te5薄膜性能影响

4.3建模与分析

4.3.1自热作用

4.3.2自限作用

4.4本章小结

第五章总结与展望

参考文献

论文发表情况

致谢