TFT-LCD制造中通过CVD与DE改善互连接触孔形状

摘要

在TFT-LCD制程中,采用了等离子体增强化学气相沉积法(plasma enhancedchemical vapor-deposition,PECVD)生长氮化硅薄膜,采用分步沉积的方法改善氮化硅刻蚀角度,同时讨论了通过干法刻蚀(dry etching)改善氮化硅刻蚀角度的可能性,得到适合制作与刻蚀氮化硅薄膜,取得良好刻蚀角度的最佳工艺条件。
　　 在采用新的条件之后,可以在保证晶体管性能的同时,避免刻蚀形状不佳造成的各种产品不良,该条件已经被量产所采用。