摘要
Abstract
第1章 绪论
1.1 动态随机存储器发展轨迹与应用现状
1.2 嵌入式动态随机存储器的现状与未来发展
1.3 论文的主要工作和技术要点
1.4 论文的组织结构
第2章 动态随机存储器单元
2.1 当前各种动态随机存储器单元结构介绍
2.1.1 传统1T1C结构的DRAM介绍
2.1.2 Mosys--1T SRAM介绍
2.1.3 FBC介绍
2.1.4 基于Gain cell结构单元系列介绍
2.2 改进型2T GC单元
第3章 基于增益单元的eDRAM阵列架构及关键外围电路模块设计
3.1 阵列架构及操作方式
3.1.1 阵列架构介绍
3.1.2 阵列单元读写方式描述
3.2 外围电路模块框图及关键路径描述
3.2.1 外围电路模块及阵列划分
3.2.2 GC关键路径描述
3.3 读写通路设计
3.4 高速译码器设计
3.5 传负压电路设计
3.6 阵列单元测试
第4章 基于增益单元的高速低数据保持功耗eDRAM设计
4.1 芯片SPEC
4.2 接口信号定义及说明
4.3 芯片架构
4.4 高速读写电路设计
4.4.1 传统读电路存在的影响读速度的因素
4.4.2 高速读电路设计
4.4.3 传统写电路存在的影响写速度的因素
4.4.4 高速写电路设计
4.5 低功耗刷新方案
4.5.1 传统的刷新方案面临功耗问题
4.5.2 传统的电荷转移刷新方案
4.5.3 紧凑式电荷转移刷新方案
4.5.4 三种不同刷新方案比较
4.6 芯片控制信号产生
4.6.1 控制电路全局模块示意图及操作时序
4.6.2 接口电路设计
4.6.3 时序产生电路设计
4.6.4 刷新电路设计
4.6.5 紧凑式电荷转移控制信号的产生
第5章 总结与展望
5.1 论文工作总结
5.2 深入工作的设想
参考文献
致谢
