摘要
Abstract
第一章 绪论
第一节 光掩膜简介
第二节 光掩膜制作流程
第三节 选题的背景和目的意义
第四节 本文的研究目标与内容
第二章 电子束曝光技术
第一节 电子束光刻设备的最新进展
第二节 电子束光刻设备的原理和关键技术
第三节 电子束光刻设备重要部件介绍
第四节 实验设备简介
第五节 设备性能调整工艺
第六节 本章小结
第三章 光刻胶工艺技术研究
第一节 光刻胶材料介绍
第二节 电子光刻胶工艺关键性能
第三节 光刻胶图形质量评价
第四节 光刻胶选型实验
第五节 本章小结
第四章 电子束曝光邻近效应研究
第一节 邻近效应产生机制
第二节 邻近效应校正方法
第三节 散射参数
第四节 曝光剂量Dose和散射参数η提取实验
第五节 本章小结
第五章 掩膜板临界尺寸均匀度光刻工艺补偿法
第一节 工艺对掩膜板临界尺寸均匀度的影响
第二节 实验设计思想
第三节 改善结果和讨论
第四节 本章小结
第六章 总结和展望
参考文献
致谢
复旦大学;
