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第一章绪论
1.1课题来源及研究意义
1.2 SRAM设计技术发展趋势
1.2.1 SRAM低功耗设计
1.2.2 SRAM高速设计
1.3存储器产品发展趋势
1.3.1国外发达国家存储器发展动态
1.3.2国内存储器发展现状
1.4课题的主要工作及技术要点
1.5论文章节组成
第二章SRAM电路设计
2.1 SRAM工作原理
2.1.1 SRAM结构
2.1.2 SRAM基本工作时序
2.2 SRAM存储单元的研究
2.2.1 SRAM存储单元的介绍
2.2.2 SRAM存储单元静态噪声容限
2.3 SRAM存储阵列布局
2.3.1大容量存储阵列布局
2.3.2低容量存储阵列布局
2.4地址译码电路设计
2.4.1静态CMOS逻辑
2.4.2动态逻辑
2.5敏感放大电路设计
2.5.1电流镜型敏感放大器
2.5.2交叉耦合型敏感放大器
2.5.3锁存型敏感放大器
2.6数据输出电路
2.7位线预充电电路
2.8 Tracking机制
2.8.1 SRAM自复位原理
2.8.2常规Tracking机制
2.8.3时序裕量小的Tracking机制
2.9本章小结
第三章512K SRAM设计
3.1存储阵列布局
3.2译码电路设计
3.2.1行地址预译码电路设计
3.2.2列地址译码电路设计
3.3时序控制电路
3.4数据输入输出电路设计
3.4.1数据输入电路
3.4.2数据输出电路
3.5敏感放大电路设计
3.6 Tracking机制设计
3.6.1类电流源存储单元和可复制存储单元设计
3.6.2编程电路与开关选择电路设计
3.6.3存储器架构
3.7低功耗分析与设计
3.7.1低功耗设计
3.8本章小结
第四章SRAM仿真
4.1前仿真流程与仿真工具环境设置
4.1.1直流通路检查
4.1.2 HSIM精度与仿真速度的设置
4.1 3前仿真分析
4.2后仿真与仿真工具环境的设置
4.2.1 SRAM整体后性能仿真分析
4.2.2仿真模型的建立
4.3 SRAM仿真矢量文件的生成
4.3.1 HSIM矢量文件的格式
4.3.2 Verilog生成矢量文件
4.4功耗仿真结果
4.5本章小结
第五章SRAM版图设计
5.1整体布局(floor-plan)
5.2信号线布局(signal-plan)
5.2.1减少全局信号线
5.2.2优化信号线的宽度和间距
5.2.3导线延时优化方法
5.3电源网络布局(power-plan)
5.3.1存储单元电源线布局
5.3.2字线驱动电路部分电源线布局
5.3.3预译码电路部分电源线布局
5.4版图验证
5.5本章小结
第六章结束语
6.1总结
6.2展望
致谢
研究生期间发表的论文
参考文献
附录
西北工业大学业学位论文知识产权声明书及西北工业大学学位论文原创性声明