声明
摘要
1 绪论
1.1 引言
1.2 纳米材料
1.2.1 纳米材料的性质
1.3 GaN材料简介
1.3.3 GaN材料的研究现状
1.4 低维GaN纳米材料的制备
1.5 本文主要研究内容
2 GaN纳米线C还原CVD法的制备
2.1 实验试剂与设备
2.2 实验过程
2.3 表征及结构分析仪器
2.3.1 SEM表征
2.3.2 XRD分析
2.3.3 场发射性能分析
2.4 实验结果及分析
2.5.1 掺C量对GaN纳米线生长的影响
2.5.2 氨气气体流量对纳米线形貌的影响
2.5.3 生长时间对纳米线形貌的影响
2.5 场发射性能分析
2.6 GaN纳米线的形成机理分析
2.6 总结
3 理论计算
3.1 DFT
3.4 模型构建及计算方法
3.4.1 模型构建
3.4.2 计算方法
3.5 结果分析
3.5.1 GaN体材料的能带结构
3.5.2 GaN纳米线的几何结构
3.5.3 GaN纳米线的差分电荷密度
3.5.4 GaN纳米线的能带结构
3.5.5 GaN纳米线的态密度
3.5.6 结论
4 结论与展望
4.1 结论
4.2 展望
致谢
参考文献
附录