文摘
英文文摘
第一章 绪论
1.1 研究意义
1.2 国内外研究现状
1.3 本文的主要工作
第二章 硅基应变材料的性质与缺陷机理研究
2.1 硅基应变材料的性质
2.1.1 应变硅和应变锗硅的形成
2.1.2 晶格常数
2.1.3 能带结构
2.1.4 迁移率的增强机理
2.2 缺陷机理
2.2.1 点缺陷
2.2.2 线缺陷
2.2.3 面缺陷
2.2.4 体缺陷
第三章 硅基应变与弛豫材料中位错的行为研究
3.1 位错的滑移与攀移
3.1.1 位错的滑移(Dislocation Glide)
3.1.2 位错的攀移
3.2 位错的产生机制
3.2.1 Frank-Read增殖机制
3.2.2 MFR(modified Frank-Read)增殖机制
3.2.3 其他滑移机制
3.3 位错间的交互作用
3.3.1 位错间的吸引与排斥
3.3.2 位错的交割
3.3.3 割阶与扭折
第四章 硅基应变材料缺陷的表征研究
4.1 透射电子显微镜表征研究
4.1.1 TEM的结构
4.1.2 TEM工作原理
4.1.3 样品的制备
4.1.4 TEM实验研究
4.2 位错密度的微分干涉显微镜表征研究
4.2.1 腐蚀法原理
4.2.2 腐蚀液配方
4.2.3 微分干涉显微镜(DIC)
4.2.4 实验步骤
4.3 腐蚀图形分析
4.3.1 Dash腐蚀液的腐蚀
4.3.2 铬酸腐蚀液
4.3.3 梯度法腐蚀
4.3.4 对腐蚀液配方的改进
4.3.5 适用于硅基应变材料的腐蚀方法
第五章 结论
致谢
参考文献
攻读硕士期间的研究成果和参加的科研项目