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李劲;
西安电子科技大学;
应变硅; 异质栅; 短沟道效应; 能带结构; 双栅器件;
机译:使用纳米束电子衍射(NBD)在SGOI MOSFET沟道上的SOI和应变硅中进行应变表征
机译:基于Ge凝聚技术的应变SOI / SGOI双通道CMOS技术
机译:在SOI衬底上氧化非晶SiGe膜来高锗含量应变SGOI
机译:通过将Ge凝聚技术应用于应变SOI衬底而制造的高应变SGOI p沟道MOSFET
机译:SOI-CMOS和本体CMOS中模拟电压比较器的性能分析
机译:仿生密封圈的结构设计及密封性能分析
机译:借助固有应变分布函数的三维残余应力测量方法(报告I):一种估算固有应变分布的函数方法(力学,强度和结构设计)
机译:移动工具箱:maastoajoneuvojen suorituskyvyn analysointiohjelma(移动工具箱:地形车性能分析程序)
机译:绝缘体上拉伸应变SiGe(SGOI)上的应变Si MOSFET
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