公开/公告号CN103219275B
专利类型发明专利
公开/公告日2016-03-23
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院上海微系统与信息技术研究所;
申请/专利号CN201210017889.5
申请日2012-01-19
分类号H01L21/762(20060101);H01L21/36(20060101);H01L21/265(20060101);H01L21/324(20060101);
代理机构31219 上海光华专利事务所;
代理人李仪萍
地址 200050 上海市长宁区长宁路865号
入库时间 2022-08-23 09:36:25
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2016-03-23
授权
授权
2013-08-21
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/762 申请日:20120119
实质审查的生效
2013-07-24
公开
公开
机译: 具有高弛豫和低堆叠缺陷缺陷密度的薄SGOI晶片的形成方法
机译: 具有高弛豫和低堆叠缺陷缺陷密度的薄sgoi晶片的形成方法
机译: 绝缘体上的薄SiGe,具有高浮雕且具有低堆叠缺陷密度(SGOI),是形成晶片的方法。