施主掺杂和Na0.5Bi0.5TiO3对钛酸钡系PTCR居里温度的影响

摘要

本文主要研究了PTCR元件制造过程中Nb、La、Y三种施主掺杂和Na0.5Bi0.5TiO3(NBT)对元件居里温度的影响。Nb2O5掺杂摩尔比为0.118％—0.144%的范围内元件可良好半导化,随着Nb2O5掺杂增加,元件的居里温度略有下降(112℃+2℃);La2O3掺杂摩尔比为0.097%—0.160%的范围内元件可良好半导化,随着La2O3掺杂增加,元件的居里温度略有下降(96℃+2℃);Y2O3掺杂摩尔比为0.140%—0.191%的范围内元件可良好半导化,随着Y2O3掺杂增加,元件的居里温度略有上升(125℃+2℃)。三种施主掺杂都得到了明显的室温电阻率—掺杂摩尔百分比U型曲线。
　　预烧之前添加NBT相对基础配方居里温度最多提高了20℃,预烧之后添加NBT相对基础配方居里温度最多提高了24℃,预烧前后添加NBT都会导致元件室温电阻率的升高。预烧后添加 NBT相对于预烧之前添加更加集中作用于晶界,从而对居里点具有更高的移动效率。

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第一章 绪论

1.1 BaTiO3基PTC的现状及展望

1.2 本文的研究内容和文章结构

第二章 BaTiO3基PTCR基本理论

2.1 BaTiO3基PTCR元件的晶体结构

2.2 BaTiO3半导瓷的半导化机理

2.3 BaTiO3半导瓷PTC效应的理论模型

2.4 PTC热敏电阻器的性能参数

2.5 PTC热敏电阻器的基本特性及其应用

第三章 BaTiO3基PTCR的制备与测试

3.1 PTC材料的制备工艺

3.2 PTCR的测试系统

第四章 施主掺杂对PTCR元件半导化的影响

4.1 Nb2O5掺杂对PTCR元件半导化和居里温度的影响

4.2 La2O3掺杂对PTCR原件半导化和居里温度的影响

4.3 Y2O3掺杂对PTCR原件半导化和居里温度的影响

4.4 小结

第五章 BaTiO3-Na0.5Bi0.5TiO3系PTC陶瓷

5.1 NBT粉体的制备

5.2 NBT添加对BaTiO3基PTCR原料半导化和居里温度的影响

第六章 总结与展望

6.1 总结

6.2 展望

致谢

参考文献