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沈良; 曲风钦; 宋世庚;
中国科学院新疆物理研究所,;
烟台大学物理系,;
BaTiO3薄膜; PTCR特性; 掺杂浓度;
机译:O2 sub>和N2 sub>气氛对掺Y PTCR BaTiO3 sub>陶瓷PTCR特性的影响
机译:通过还原烧结再氧化法制备Nb2O5掺杂BATIO3芯片型陶瓷PTCR特性研究
机译:烧结时间和供体浓度对La-掺杂BATIO3-Na0.5bi0.5tio3陶瓷PTCR作用的影响
机译:施主La和受主Mn掺杂的BaTiO3陶瓷的PTCR特性
机译:无铅钙铈共掺杂BaTiO3陶瓷的结构,介电和铁电特性
机译:共沉淀路线中的草酸盐配体对未掺杂和Rh掺杂BaTiO3纳米粒子的形态特性和相组成的影响
机译:掺杂BaTiO3 ptcr的X射线吸收光谱研究
机译:超导铜酸盐薄膜的制备及其特性:Nd(2-x)Ce(x)CuO4和底化Bi系
机译:通过掺杂PCMO薄膜影响RRAM特性的方法
机译:包含其应用于在掺杂有导电材料的至少一种导电特性的金属的层中的半导体材料的一部分中的半导体材料的一部分的制造半导体装置的方法和金属层,以调节半导电体的一部分中的不同活化剂原子,调节金属层并将其从外部连接到金属层。
机译:包含其应用于在掺杂有至少一种导电材料的至少一种导电特性的金属的金属层中的半导体材料本体的一部分的半导体器件的制造方法和金属层,以调节半导电体的一部分中的不同活化剂原子,调节金属层并将其从外部连接到金属层。
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