SOI应变SiGeBiCMOS关键技术研究

摘要

基于TF(Thin Film)-SOI衬底应变SiBiCMOS（由TF-SOI SiGe HBT和TF-FD-SSOI MOSFET单元构成）技术是当前国内外研究发展的重点和热点，在高性能、高集成度、低功耗纳米电路中具有广阔的应用前景。
　　本文主要开展TF-SOI SiGe HBT和TF-SOI应变MOSFET电学特性的研究工作：1）、针对所提出的TF-SOI SiGe HBT结构，建立TF-SOI SiGe HBT集电结空间电荷区电容模型，在此基础上，进一步建立 TF-SOI SiGe HBT正/反向厄利电压模型，对TF-SOI SiGe HBT的频率和厄利特性进行仿真分析，获得了有实用价值的相关结论。2）求解泊松方程，获得TF-FD-SSOI MOSFET二维表面势模型，建立该器件的阈值电压和亚阈电流解析模型。ISE-TACD数值仿真表明：本文所建模型与其结果一致，验证了本文模型的正确性。本文TF-SOI SiGe HBT与 TF-FD-SSOI MOSFET电学特性的相关研究，可为TF-SOI SiGe BiCMOS的研究设计提供重要的理论依据。

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第一章 绪 论

1.1 SOI技术概述

1.2 本论文研究背景

1.3 本论文的主要研究工作

第二章 双轴应变Si喇曼谱透射深度及应力模型研究

2.1 喇曼表征技术

2.2 透射深度实验分析

2.3 喇曼谱应力理论模型

本章小结

第三章 SOI SiGe HBT电学特性

3.1 器件结构

3.2 C-B结空间电荷区电容模型

3.3 SOI SiGe HBT厄利电压解析模型

3.4 SOI SiGe HBT频率特性

3.5 SOI SiGe HBT工态分析

3.6 本章小结

第四章 全耗尽应变硅SOI NMOS阈值/亚阈特性

4.1 器件结构

4.2 二维表面势模型

4.3 阈值电压模型

4.4 亚阈电流模型

4.5 FDS-SOI NMOSFET工态分析

4.6 本章小结

第五章 研究结论和研究成果

5.1 研究结论

5.2 研究成果

致谢

参考文献