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目录
第一章 绪论
1.1 研究背景及意义
1.2 研究进展
1.3 本论文研究内容及安排
第二章 去嵌技术应用基础
2.1 微波测量
2.2 微波晶体管建模
第三章 毫米波散射参数在片去嵌
3.1 毫米波散射参数测量
3.2 在片毫米波仪器及其装置
3.3 在片测量的校准和去嵌过程
3.4 本章小结
第四章 基于450μm厚度InP衬底的0.1 GHz-110 GHz在片去嵌研究
4.1 TRL和LRM非对称去嵌算法
4.2 基于450μm厚度InP衬底的去嵌结构设计及仿真
4.3 TRL和LRM去嵌的测试验证及分析
4.4 有源器件HBT的在片去嵌
4.5 本章小结
第五章 基于50μm厚度InP衬底的0.1 GHz-110 GHz在片去嵌研究
5.1 基于50μm厚度InP衬底的去嵌结构设计及仿真
5.2 去嵌结构的测试验证及分析
5.3 有源器件HEMT的在片去嵌
5.4 本章小结
第六章 总结与展望
参考文献
致谢
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