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声明
第一章绪论
第一节GaN材料的基本性质及研究进展
第二节低维GaN材料的研究概况
第三节Mg的基本性质以及应用
第四节课题来源及选题依据
第二章实验设备和测试方法
第一节实验设备
第二节实验中所需要的主要材料和试剂
第三节测试表征手段
第三章共溅法制备一维Mg掺杂GaN纳米材料的研究
第一节一维Mg掺杂GaN纳米材料的制备
第二节氨化时间对合成一维GaN纳米结构的影响
第三节氨化温度对合成一维GaN纳米结构的影响
第四节Mg掺杂浓度对合成一维GaN纳米结构的影响
第五节一维GaN纳米材料的生长机制初探
第六节本章小结
第四章结论
第一节本论文的主要研究内容及成果
第二节对今后工作的建议
参考文献
论文作者在学期间发表的学术论文目录
致谢