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杨冬; 王非; 翟雷应; 梁建; 马淑芳; 许并社;
中国仪器仪表学会;
氮化镓纳米带; CVD法; 半导体薄膜; 场发射扫描电镜; 能量散射谱;
机译:结晶氮化镓纳米带环的合成与表征
机译:Ga-EDTA配合物氮化制备纳米晶氮化镓及其表征
机译:氮化镓量子点的III族氮化物气桥光子晶体的制备和光学表征
机译:氮化镓薄膜和氮化镓纳米带的合成氮含量氮化成砷化镓
机译:原子清洁的氮化镓(0001)和氮化铝(0001)薄膜的制备,表征以及通过碘汽相生长沉积厚的氮化镓薄膜。
机译:复合体系镓氮化镓GaN-氮化镓锡中的新型氮化物纳米粒子
机译:氮化铝镓/氮化镓高电子迁移率晶体管的制备与表征
机译:FY2016体积GaN衬底上垂直氮化镓功率肖特基二极管的制备与表征。
机译:3--制备基团-氮化物半导体晶体的方法制备基于氮化镓的复合半导体-基于氮化镓的复合半导体-镓镓的半导体-光导体-光导体-装置的发光装置和设备
机译:-iii-氮化物-半导体晶体的制备方法,基于氮化镓的化合物半导体的制备方法,基于氮化镓的化合物半导体,发光器件由基于氮化镓的化合物半导体和使用的光源,发光半导体器件
机译:制备III族氮化物半导体晶体的方法,制备氮化镓基化合物半导体的方法,氮化镓基化合物半导体,氮化镓基化合物半导体发光器件以及使用该半导体光的光源
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