场致发射阵列阴极的特性研究及其制造工艺

摘要

该文的主要任务就是进行场致阵列阴极的模拟计算,并利用模拟计算的结果进行场致阵列阴极的研制.第一章主要介绍了场致电子发射的特点、应用以及影响场致发射的主要因素,并对场致发射的发射机理进行了探讨.第二章主要介绍了场致阵列阴极模拟计算程序的编制原理.第三章主要对程序的计算结果进行了讨论,并得到了适合于电子发射的栅极开口半径和阴极顶端曲率半径.第四章主要介绍了Spint阴极的制作工艺,这包括清洗、氧化、 光刻、曝光、显影、溅射及刻蚀等工艺.

目录

文摘

英文文摘

绪论

一、真空微电子学的产生和发展

二、真空微电子器件的应用

三、真空微电子学的发展趋势

四、论文的研究内容

第一章场致电子发射简介

第一节场致电子发射的特点及应用

第二节场致电子发射机理的定性说明

1.2.1经典理论说明

1.2.2量子理论说明

第三节金属场致发射理论

第四节影响场发射的主要因素

第二章计算程序的说明

第一节计算场分布几种方法的比较

第二节边界的处理

第三节虚阳极的引入

第四节区域的细化和电位的迭代

第五节收敛判断

第六节电位的计算

第七节电场强度的计算

第八节空间电荷密度的计算

第九节电子轨迹的计算

程序流程图

第三章计算结果的讨论

第四章场致发射阵列阴极的研制

第一节硅片的抛光

第二节硅片的清洗

第三节硅片的氧化

第四节金属钼的沉积

第五节光刻工艺

4.5.1涂胶工序

4.5.2前烘

4.5.3曝光

4.5.4中烘

4.5.5显影

4.5.6后烘

4.5.7刻蚀

4.5.8去胶和空腔的腐蚀

第六节尖锥的生成

第七节去除牺牲层

第五章结束语

致谢

参考文献