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Ⅲ族氮化物微纳米材料的制备和表征

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原创性声明和关于学位论文使用授权的声明

第一章绪论

§1.1引言

§1.2纳米科学的基本概念

§1.3纳米材料的概念、性质、应用

§1.4纳米材料的制备及发展现状

§1.5准一维纳米材料的研究进展

§1.6Ⅲ族氮化物纳米材料

§1.6.1氮化硼的结构、性质和应用

§1.6.2氮化镓的结构、性质和应用

§1.7本论文的研究工作

参考文献

第二章纳米材料的分析、表征方法

§2.1高分辨电子显微镜(HRTEM)

§2.2 X射线衍射(XRD)

§2.3扫描电子显微镜(SEM)

§2.4 X射线能谱(EDS)

§2.5拉曼光谱(Raman Spectrum)

§2.6光致发光(PL)谱

§2.7 X射线光电子能谱(XPS)

参考文献

第三章氮化硼纳米线的水热合成及其显微结构分析

§3.1引言

§3.2实验过程

§3.2.1样品制备

§3.2.2样品表征

§3.3结果与讨论

§3.3.1物相分析

§3.3.2产物BN纳米线的形貌特征

§3.3.3 BN纳米线的显微结构表征

§3.4正交氮化硼纳米线及其竹节结构的形成机理

§3.5小结

参考文献

第四章氮化镓纳米晶的合成

§4.1引言

§4.2氮化镓非晶的合成

§4.2.1 GaCl3·NH3配合物的制备

§4.2.2 GaCl3·NH3配合物的热性质

§4.2.3 GaCl3·NH3配合物热分解制备氮化镓非晶

§4.2.4实验结果和讨论

§4.3氮化镓纳米晶的制备与表征

§4.3.1实验部分

§4.3.2实验结果与讨论

§4.4氮化镓合成机理探讨

§4.5小结

参考文献

第五章低维氮化镓纳米材料的取向生长、表征及生长机理

§5.1引言

§5.2取向生长氮化镓纳米锥的制备、表征与分析

§5.2.1取向生长氮化镓纳米锥的制备

§5.2.2产物的表征

§5.2.3实验结果与分析

§5.3氮化镓纳米线的制备、表征及分析

§5.3.1氮化镓纳米线的制备

§5.3.2产物的表征

§5.3.3实验结果与分析

§5.4氮化镓纳米线的生长机理

§5.4.1气-液-固(VLS)生长机制

§5.4.2氮化镓纳米线的生长机制

§5.5小结

参考文献

第六章氮化镓微纳米晶的生长

§6.1引言

§6.2氮化镓的合成与表征

§6.2.1样品制备

§6.2.2样品表征

§6.2.3结果与讨论

§6.2.4反应机理探讨

§6.3利用6H-SiC衬底生长GaN微晶

§6.3.1氮化镓微纳米晶体生长方法

§6.3.2氮化镓晶体的生长形貌特点

§6.4小结

参考文献

第七章结论及有待进一步开展的工作

§7.1本文主要结论

§7.2有待进一步开展的工作

攻读博士学位期间发表的论文

致谢

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摘要

Ⅲ族氮化物具有宽的直接带隙,是非常重要的半导体材料,在制备电子和光电子器件领域具有广泛的重要应用。Ⅲ族氮化物微纳米材料的的合成、表征分析以及性能的测试是制约其在微纳米器件制作与应用中的关键因素。本论文选取了Ⅲ族氮化物为主攻方向,成功制备出氮化硼纳米线,氮化镓微纳米晶、具有取向生长特点的纳米锥和纳米线等半导体微纳米材料,并利用多种表征手段对产物进行了表征分析,特别是利用电子显微方法对产物的显微结构特点进行了研究分析,在此基础上对产物的形成机理进行了探讨。

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