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论文说明:符号说明
声明
第一章绪论
1.1紫外探测器
1.2紫外探测器的发展
1.3 GaN基紫外探测器的分类与性能
1.3.1光导探测器
1.3.2光伏探测器
1.4 GaN基材料的物理特性
1.4.1 GaN基材料的结构特性
1.4.2 GaN基材料的能带结构
1.4.3 GaN材料的电学特性
1.5研究内容及论文的安排
参考文献
第二章ISE TCAD软件介绍
2.1 TCAD的发展
2.2 ISE TCAD软件的简介
2.2.1工艺模拟
2.2.2器件模拟
2.3 TCAD在半导体行业中的应用
参考文献
第三章肖特基器件电学性质的研究
3.1金属-半导体接触概述
3.1.1欧姆接触
3.1.2肖特基势垒接触
3.2肖特基器件电流传输的物理机制
3.3提高肖特基势垒高度的方法
3.4理论模型的选择及其分析描述
3.5仿真结果及分析
3.5.1电流-电压特性的仿真结果分析
3.5.2电场特性的模拟结果及分析
3.6 小结
参考文献
第四章GaN雪崩器件电学性质的模拟
4,1引言
4.2 GaN基雪崩光电二极管的研究现状
4.3光电二极管的暗电流机制
4.4 GaN的p型掺杂问题
4.5仿真模型结构描述
4.6仿真结果分析讨论
4.7小结
参考文献
第五章结论
致谢
攻读硕士期间发表的学术论文