声明
摘要
符号表
第一章 绪论
1.1 人类照明技术的发展史
1.2 LED的发展历史
1.3 LED发展遇到的问题
1.4 本论文的研究内容与主要安排
参考文献
第二章 Ⅲ族氮化物半导体的基本性质与原理
2.1 半导体载流子的基本复合过程
2.1.1 辐射复合
2.1.2 非辐射复合
2.2 GaN基半导体材料的基本结构与性质
2.3 GaN基LED的基本性质发光原理
2.3.1 GaN基LED的基本性质
2.3.2 GaN基LED的发光原理
参考文献
第三章 GaN基(纳米柱)LED的制备与表征方法
3.1 GaN基材料的一般生长方法
3.2 GaN基纳米柱LED制备方法
3.2.1 等离子体增强化学的气相沉积(PECVD)
3.2.2 电子束曝光(EBL)
3.2.3 电子束蒸镀(E-beam evaporation)
3.2.4 电感耦合离子体(ICP)刻蚀
3.3 GaN基材料的一般表征方法
3.3.1 扫描电子显微镜(SEM)
3.3.2 高分辨透射电子显微镜(HRTEM)
3.3.3 拉曼(Raman)光谱
3.4 本研究所用样品的制备
3.4.1 原位样品制备
3.4.2 纳米柱LED样品制备
3.4.3 实验测量
参考文献
第四章 InGaN/GaN多量子阱基纳米柱LED实验分析
4.1 样品表征分析
4.1.1 HRTEM表征分析
4.1.2 SEM表征分析
4.1.3 Raman光谱分析
4.2 光学特性分析
4.2.1 PL光谱分析
4.2.1 PL峰位分析
4.2.1 能带结构分析
4.2.1 样品的外量子效率分析
4.3 本章小结
参考文献
第五章 InGaN/GaN多量子阱基纳米柱LED仿真分析
5.1 数值分析方法概述
5.1.1 Rsoft-Fullwave概述
5.1.2 FDTD算法
5.1.3 发光效率
5.1.4 Rsoft-Fullwave模型参数
5.2 Rsoft-Fullwave仿真
5.2.2 Rsoft-Fullwave仿真分析
5.3 本章小结
参考文献
6.1 工作总结
6.2 工作展望
致谢
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