声明
摘要
1.1自旋电子学
1.2拓扑绝缘体材料
1.2.1量子霍尔效应
1.2.2量子自旋霍尔效应
1.2.3二维拓扑绝缘体
1.3二维磁性半金属材料
1.4论文结构
参考文献
第二章理论基础和计算方法简介
2.1第一性原理计算
2.1.1价电子近似
2.1.2绝热近似
2.1.3 Hartree-Fock近似
2.2密度泛函理论
2.2.2 Hohenberg-Kohn定理
2.2.3 Kohn-Sham方程
2.2.4交换关联泛函
2.2.5平面波基组和赝势方法
2.3.2 Z2拓扑数的计算
2.3.3边缘态计算
2.4本论文涉及的计算软件简介
参考文献
第三章功能化修饰的Ⅴ族二元化物薄膜中的非常规能带反转及本征量子自旋霍尔效应的研究
3.1引言
3.2计算方法与细节
3.3结果与讨论
3.3.1碘化Ⅴ族二元化物薄膜的结构及稳定性
3.3.2碘化薄膜的电子性质研究
3.3.3碘化薄膜的拓扑性质研究
3.3.4应力调控对材料性质的影响
3.3.5外电场调控对材料性质的影响
3.3.6能带反转机制的研究以及氢化作用的影响
3.4本章小结
参考文献
第四章外电场与应力工程对Bi(110)薄膜中量子自旋霍尔效应的调控
4.1引言
4.2计算方法与细节
4.3结果与讨论
4.3.1本征Bi(110)二维薄膜性质的研究
4.3.2应力对Bi(110)薄膜性质的调控
4.3.3外电场对Bi(110)薄膜性质的影响
4.3.4应力和外电场对双层Bi(110)性质的影响
4.4本章小结
参考文献
第五章氨基修饰对于Sb/Bi(111)薄膜量子自旋霍尔效应的影响
5.1引言
5.2计算方法与细节
5.3结果与讨论
5.3.1 Sb/BiNH2薄膜结构及稳定性研究
5.3.2 Sb/BiNH2薄膜电子和拓扑性质的研究
5.3.3应力工程和电场对Sb/BiNH2薄膜性质的影响
5.3.4氨基的旋转和排布对材料性质的影响
5.3.5不同的村底效应研究
5.4本章小结
参考文献
第六章Mo3N2F2中的亚铁磁半金属性研究
6.1引言
6.2计算方法与细节
6.3结果与讨论
6.3.2 Mo3N2F2薄膜结构与稳定性研究
6.3.3 Mo3N2F2薄膜磁学性质的研究
6.3.4 Mo3N2F2薄膜电子性质的研究
6.3.5应力调控对亚铁磁半金属性的影响
6.3.6 GGA+U修正对体系性质的影响
6.3.7薄膜表面的混合修饰效应研究
6.4本章小结
参考文献
第七章总结与展望
7.1本论文的主要内容与结论
7.2本论文的特色和创新
7.3展望
致谢
攻读博士学位期间发表论文
获奖情况
参与项目