首页> 中文学位 >新型Ⅳ--Ⅴ族二维半导体SiP2的晶体生长与基本性能表征
【6h】

新型Ⅳ--Ⅴ族二维半导体SiP2的晶体生长与基本性能表征

代理获取

目录

声明

摘要

1.1引言

1.2二维材料家族的发展与壮大

1.2.1单元素二维材料

1.2.2二元二维材料

1.2.3三元二维材料

1.3二维材料的制备方法

1.3.1自上而下

1.3.2自下而上

1.4各向异性二维材料的角分辨偏振拉曼研究

1.5二维材料在光电探测领域的应用

1.6本论文的选题意义与研究内容

参考文献

第二章正交相SiP2的晶体生长与基本性能表征

2.1引言

2.2正交相SiP2的晶体生长

2.2.1助熔剂与催化剂的选择

2.2.2原料与生长设备

2.2.3助熔剂法生长SiP2主要过程

2.3正交相SiP2晶体的基本表征

2.3.1光学显微镜

2.3.2单晶结构解析

2.3.3 X射线粉末衍射

2.3.4形貌与组分

2.3.5紫外-可见漫反射光谱

2.4本章小结

参考文献

3.1引言

3.2正交相SiP2纳米片的制备与表征

3.2.1场发射透射显徽镜表征SiP2纳米片

3.2.2原子力显微镜表征SiP2纳米片

3.2.3机械剥离的SiP2的稳定性实验

3.3不同层数SiP2带隙的理论计算

3.3.2计算结果与讨论

3.4本章小结

参考文献

4.1引言

4.2 SiP2的非偏振Raman光谱表征

4.3 SiP2的偏振Raman光谱表征

4.3.1角分辨偏振拉曼测试装置

4.3.2角分辨偏振拉曼配置中拉曼强度的计算

4.3.3 SiP2的角分辨偏振拉曼光谱

4.4本章小结

参考文献

5.1引言

5.2光探测器简介

5.2.1光探测器的分类

5.2.2光探测器的主要评价参数

5.3正交相SiP2的光探测性能研究

5.4本章小结

参考文献

第六章总结与展望

6.1主要结论

6.2创新点

6.3有待开展的工作

致谢

展开▼

著录项

相似文献

  • 中文文献
  • 外文文献
  • 专利
代理获取

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号