第一章前言
1.1引言
1.2 SiCl4/H2外延生长单晶硅反应实验研究状况
1.3 SiCl4/H2外延生长单晶硅反应理论研究状况
1.4本论文工作
参考文献
第二章理论基础
2.1分子轨道理论
2.1.1.闭壳层组态的Hartree-Fock-Roothaan(HFR)方程
2.1.2.开壳层组态的HFR方程
2.2密度泛函理论
2.3振动频率的计算
2.3.1.谐振频率的计算
2.3.2.零点振动能
2.4化学反应过渡态的计算方法
2.4.1.化学反应过渡态的数学模型
2.4.2.过渡态的计算方法
2.4.3.反应速率常数理论
2.5基组的选择
参考文献
第三章 SiCl4/H2气相反应机理的理论研究
3.1计算方法
3.2结果与讨论
3.2.1.SiCl4/H2气相初始反应微观反应机理分析
3.2.2.SiHCl3和H2气相反应微观反应机理分析
3.2.3.SiCl2和H2气相反应微观反应机理分析
3.3结论
参考文献
第四章SiCl4/H2在硅衬底表面上反应机理的理论研究
4.1计算方法
4.2结果与讨论
4.2.1 Si2原子簇模型
4.2.2 Si4原子簇模型
4.2.3 Si9H12原子簇模型
4.3结论
参考文献
第五章总结
致谢
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