声明
摘要
1 绪论
1.1 微电子封装技术概述
1.2 微电子封装技术发展趋势
1.2.1 微型化发展趋势
1.2.2 无铅化技术需求
1.2.3 Sn晶粒固有属性-各向异性
1.3 微型化引起的可靠性挑战-电迁移
1.3.1 电迁移物理机制
1.3.2 电迁移界面反应研究
1.3.3 电迁移导致的可靠性问题
1.4 电迁移和Sn晶粒取向相互作用研究进展
1.5 本论文研究目的和研究内容
2 样品制备与实验方法
2.1 线性焊点制备与电迁移测试
2.1.1 线性Cu/Sn3.0Ag0.5Cu/Cu与Cu/Sn/Ni焊点制备
2.1.2 线性Cu/Sn3.0Ag0.5Cu/Cu与Cu/Sn/Ni焊点电迁移实验
2.2 倒装焊点制备与电迁移测试
2.2.1 倒装Ni/Sn3.0Ag0.5Cu/Cu焊点制备
2.2.2 倒装Ni/Sn3.0Ag0.5Cu/Cu焊点原位电迁移实验
2.3 微观形貌与成分及取向表征
3 线性Cu/SAC305(Sn)/Cu(Ni)微焊点电迁移行为
3.1 引言
3.2 Cu/SAC305/Cu焊点
3.2.1 初始焊点的微观形貌
3.2.2 1#、2#和3#Cu/SAC305/Cu焊点电迁移微观组织演变
3.2.3 Sn晶粒取向对电迁移失效模式的影响
3.3 Cu/Sn/Ni焊点
3.3.1 初始焊点微观形貌
3.3.2 Cu/[001]Sn/Ni和Cu/[110]Sn/Ni焊点电迁移微观组织演变
3.3.3 Sn晶粒取向对阴极Ni基板溶解行为的影响
3.4 本章小结
4 倒装Ni/SAC305/Cu焊点电迁移行为
4.1 引言
4.2 倒装Ni/SAC305/Cu焊点初始形貌
4.3 倒装Ni/SAC305/Cu焊点电迁移微观形貌演变
4.3.1 电子从Cu基板流向Ni UBM
4.3.2 电子从Ni UBM流向Cu基板
4.4 阴极Cu基板溶解和Sn晶粒取向之间的关系模型
4.5 Cu6Sn5类型IMC的析出与分布机制
4.5.1 焊点中含多个晶粒
4.5.2 焊点只含一个晶粒
4.5.3 焊点内部IMC分布
4.6 应力松弛现象-Sn凸起或晶须
4.7 本章小结
结论
参考文献
攻读硕士学位期间发表学术论文情况
致谢