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刘晓华;
大连理工大学;
硅掺杂; 二氧化铪; 铁电薄膜; 极化特性; 储能;
机译:储能掺杂硅的氧化ha反铁电薄膜
机译:氧化铟和氧化铟锡氧化物通道铁电栅极薄膜晶体管,具有钇掺杂的二氧化铪 - 二氧化锆栅极绝缘体,由化学溶液方法制备
机译:铁电栅极绝缘体TFT应用溶液法制备钇掺杂铪 - 二氧化锆二氧化薄膜的电性能
机译:使用O {Sub} 2,N {sub} 2o,h {sub} 2o,o {sub} 2等离子体,将二氧化铪沉积二氧化铪和硅掺杂二氧化铪掺杂二氧化铪掺杂二氧化铪和n {sub} 2q等离子体和hf(电视)T-丁基
机译:改进IV族光子图:研究外延生长,低温硅和掺杂硅薄膜的材料特性
机译:硅上外延PbZr0.45Ti0.55O3薄膜的铁电和压电特性的固有稳定性与晶粒倾斜的关系
机译:硅掺杂氧化铪铁电薄膜极化反转的电场和温度标度
机译:二氧化铅 - 氧化铜 - 硅掺杂剂组合物燃烧特性的研究
机译:用于沉积硅掺杂氧化铪作为铁电材料的新型制剂
机译:用于沉积硅掺杂氧化铪作为铁电材料的新配方
机译:用于沉积硅掺杂氧化铪作为铁电材料的配方
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