声明
摘要
图表目录
主要符号说明
1 绪论
1.1 研究背景及意义
1.2 国内外研究进展
1.2.1 电子器件发展概况
1.2.2 高热流密度微/纳尺度电子器件特征
1.2.3 微/纳尺度电子器件数值模拟方法发展概况
1.3 本文研究内容
1.3.1 高热流密度微/纳尺度电子器件热电模型建立
1.3.2 双指器件热电特性的模拟
1.3.3 器件温度影响因素分析
2 微/纳尺度电子器件产热机理
2.1 器件中电子的运动
2.2 器件中声子的运动
2.3 器件产热与传热过程
2.4 本章小结
3 格子-Boltzmann方法微/纳尺度电子器件传热模型建立
3.1 格子-Boltzmann方法的发展
3.2 Boltzmann方程
3.3 格子-Boltzmann方法
3.4 格子-Boltzmann方法在微纳尺度晶体管中的应用
3.4.1 边界条件
3.4.1 模型验证
3.5 本章小结
4.基于格子-Boltzmann方法场效应晶体管模拟
4.1 FET的结构及工作特征
4.2 工作条件对FET热特性的影响
4.3 热管理方式对温度对热特性影响
4.3.1 改变上边界对流换热系数
4.3.2 改变下边界对流换热系数
4.4 本章小结
5 非能量平衡微/纳尺度电子器件热电耦合模型的建立
5.1 电子方程
5.2 声子方程
5.3 边界条件
5.3.1 电学边界条件
5.3.2 热学边界条件
5.4 本章小结
6 高电子迁移率场效应晶体管热电特性模拟
6.1 HEMT简介
6.2 单指HEMT与双指HEMT器件
6.3 单指与双指热电特性差异
6.3 不同工作条件对工作效率的影响
6.4 工作条件对热电特性的影响
6.5 掺杂浓度对热电特性的影响
6.6 散热条件对热电特性的影响
6.6.1 衬底温度对热电特性的影响
6.6.2 对流换热系数对特性的影响
6.7 模拟结果与实验结果对比验证
6.7.1 实验步骤
6.7.2 模拟结果对比验证
6.8 本章小结
7 总结与展望
7.1 总结
7.2 展望
致谢
攻读硕士学位期间发表的相关论文
参考文献