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碳纳米管场致发射冷阴极的研究

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第一章绪论

1.1场致发射冷阴极

1.2碳纳米管综述

1.2.1纳米电子器件

1.2.2碳纳米管简介

1.2.3碳纳米管的制备

1.3薄膜制备

1.3.1历史与发展

1.3.2真空镀膜技术原理

1.4论文的选题及主要工作

1.5参考文献

第二章场致发射及其应用

2.1场致发射机理

2.1.1表面势垒与电子发射

2.1.2金属场致发射公式的推导

2.1.3温度对场致发射的影响

2.1.4福勒-诺德海姆公式的精确性

2.1.5半导体场致发射

2.1.6内场致发射

2.2场致发射电子的能量分布和Nottingham效应

2.3空间电荷效应

2.4场致发射的应用

2.4.1微尖阵列场发射阴极(FEA)

2.4.2 CNT阴极

2.5参考文献

第三章化学气相沉积法制备碳纳米管冷阴极的研究

3.1引言

3.2实验装置与实验步骤

3.3实验及其结果分析

3.3.1衬底为金膜

3.3.2衬底为金属钼空心圆柱体

3.3.3衬底为金属钼片

3.3.4衬底为金属铜片

3.3.5衬底为不锈钢片

3.4参考文献

第四章大电流密度碳纳米管冷阴极的研究

4.1大电流密度碳纳米管冷阴极制备

4.1.1前言

4.1.2实验

4.1.3实验结果与讨论

4.1.4 小结

4.2碳纳米管冷阴极场发射前后的比较

4.3参考文献

第五章丝网印刷法制备碳纳米管冷阴极的研究

5.1丝网印刷概述

5.1.1丝网印刷原理

5.1.2丝网印刷的特点

5.1.3丝网印刷的应用

5.2丝网印刷法制备碳纳米管冷阴极

5.2.1印刷浆料的制备

5.2.2碳纳米管阴极的印刷

5.3实验结果与讨论

5.4 CVD法与丝网印刷法制备的碳纳米管场致发射冷阴极的比较

5.5参考文献

结论

致谢

作者在硕士研究生期间发表的论文清单

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摘要

本文主要研究了碳纳米管冷阴极的制备及其场致发射性能。对制备得到的碳纳米管场发射冷阴极的场发射性能研究结果表明,碳纳米管场发射冷阴极具有良好的场发射性能,其场发射电流密度可达到6.5A/cm2,是极有希望的具有较大发射电流密度的阴极材料。分别采用了热化学气相沉积法和丝网印刷法制备得到了碳纳米管场发射冷阴极,在超高真空室中使用二极结构测试其场发射性能。

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