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GTEM Cell的制作及其在射频同轴电缆屏蔽效能测试中的应用

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第一章 绪论

1.1 电磁兼容简介

1.2 课题研究背景和意义

1.3 课题研究的内容

1.4 论文的组织结构

第二章 相关背景知识介绍

2.1 电磁兼容常用测试场地

2.2 吉赫兹横电磁波传输室(GTEM Cell)的发展简介

2.3 射频同轴电缆屏蔽性能的测试方法介绍

2.6 本章小结

第三章2.5 m长GTEM Cell的部分结构设计及其加工制作

3.1 传输线理论

3.2 主要部件的设计

3.3 GTEM Cell频域测试及时域特性测试

3.4 GTEM Cell前后测试区域的场分布情况

3.5 本章小结

第四章 GTEM Cell的仿真分析

4.1 有限积分法介绍

4.2 GTEM Cell测试区域的场分布

4.3 芯板侧边折弯对测试区域的场分布影响

4.4 GTEM Cell测试区域高次模的分析

4.5 芯板上的电流分布

4.6 GTEM Cell沿纵向的场强分布

4.7 GTEM Cell中置入EUT前后场分布的变化

4.8 激励源的选择

4.9 本章小结

第五章 利用GTEM Cdl测试射频同轴电缆的屏蔽效能

5.1 GTEM Cell法测试原理及测试方法

5.2 测试结果的分析

5.3 测试中存在的问题

5.3 本章小结

第六章 总结与展望

致谢

参考文献

附录A

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摘要

由于吉赫兹横电磁波传输室(GTEM Cell)相对于开阔场、屏蔽室等具有宽频带、全封闭及上限工作频率可达数吉赫兹等优点,使其在电磁兼容辐射测试实验中得到广泛应用。自GTEM Cell的提出至今已有20多年,经过国内外学者的共同努力探索,使其在2GHz以下的理论及实验分析渐趋完善。而对数吉赫兹到十几吉赫兹的分析还有待于理论与实验的进一步发展完善。数吉赫兹以上的研究难点主要集中在高次模对测试区域的场均匀性的影响上。 因GTEM Cell自身结构的原因,利用传统的解析法对其测试区域内场分布和高次模的分析较为困难。本文利用基于有限积分技术的商业软件对异型GTEM Cell在1.5m处的场分布和高次模情况进行了数值计算。提出了对GTEM Cell芯板侧边进行折弯以扩大测试区域的思想,并初步得出一些仿真结果。本设计的工作是完成2.5m长GTEM Cell的部分设计和整个小室的加工装配,并利用GTEM Cell测试射频同轴电缆的屏蔽效能。

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