声明
摘要
第一章 绪论
1.1 智能功率驱动芯片概述
1.1.1 智能功率驱动芯片的发展
1.1.2 智能功率驱动芯片的基本结构与应用
1.1.3 智能功率驱动芯片的优势
1.2 SOI-FRD在智能功率驱动芯片中的重要性
1.2.1 SOI-FRD在智能功率驱动芯片中的作用
1.2.2 SOI-FRD的反向恢复特性对智能功率驱动芯片的影响
1.3 国内外研究现状
1.3.1 国外研究现状
1.3.2 国内研究现状
1.4 研究内容与设计指标
1.4.1 研究内容
1.4.2 设计指标
1.4.3 本文写作基础与论文组织结构
第二章 SOI-FRD器件工作原理
2.1 SOI-FRD器件的耐压原理
2.1.1 SOI-FRD器件的纵向耐压
2.1.2 SOI-FRD器件的横向耐压
2.2 SOI-FRD器件的正向导通原理
2.3 SOI-FRD器件反向恢复原理
2.4 本章小结
第三章 SOI-FRD器件反向恢复特性的研究
3.1 影响SOI-FRD器件的反向恢复特性的因素
3.1.1 正向导通电流密度的影响
3.1.2 漂移区宽度的影响
3.1.3 载流子注入效率的影响
3.1.4 载流子寿命的影响
3.2 SOI-FRD器件常用技术与优缺点
3.2.1 载流子寿命控制技术
3.2.2 肖特基接触
3.2.3 陷阱埋氧层结构
3.3 SOI-FRD器件反向恢复解析模型
3.3.1 PIN二极管反向恢复建模
3.3.2 SOI-FRD器件设计理论
3.4 本章小结
第四章 PT-IDDOT快恢复二极管的设计与仿真分析
4.1 PT-IDDOT结构
4.2 PT-IDDOT结构的耐压设计
4.3 PT-IDDOT结构的正向导通压降设计
4.4 PT-IDDOT结构的反向恢复时间设计
4.5 PT-IDDOT结构的反向恢复软度设计
4.6 本章小结
第五章 PT-IDDOT快恢复二极管的流片及测试
5.1 PT-IDDOT结构的工艺流程设计
5.2 PT-IDDOT结构的测试结果
5.2.1 PT-IDDOT结构的耐压测试结果
5.2.2 PT-IDDOT结构的正向导通压降测试结果
5.2.3 PT-IDDOT结构的反向恢复测试结果
5.3 本章小结
第六章 总结与展望
6.1 总结
6.2 展望
致谢
参考文献
攻读硕士学位期间的成果和发表的论文