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第一章 绪论
1.1 硅纳米线的研究进展
1.2 硅纳米线的制备方法
1.3 硅纳米线的物理特性
1.3.1 硅纳米线场发射特性
1.3.2 硅纳米线电子传输特性
1.3.3 硅纳米线的Raman光谱性质
1.4 本论文研究的问题和意义
第二章 硅纳米线材料的表征和制备
2.1 硅纳米材料的表征手段
2.1.1 扫描电子显微镜
2.1.2 喇曼光谱
2.2 实验材料的准备及测试
2.2.1 实验前衬底Si清洗
2.2.2 湿法化学刻蚀法制备硅纳米线
2.2.3 样品的测试和表征
第三章 制备条件对硅纳米线形貌的影响
3.1 生长时间对硅纳米线形貌的影响
3.2 氢氟酸浓度对硅纳米线形貌的影响
3.3 硝酸银浓度对硅纳米线形貌的影响
3.4 生长温度对硅纳米线形貌的影响
3.5 本章小结
第四章 制备条件对硅纳米线Raman光谱的影响
4.1 氢氟酸浓度对硅纳米线Raman光谱的影响
4.2 硝酸银浓度对硅纳米线Raman光谱的影响
4.3 生长温度对硅纳米线Raman光谱的影响
4.4 本章小结
第五章 结论
5.1 本文的主要研究结果
5.2 对今后工作的展望
参考文献
致谢